3012
edycji
Pamięć półprzewodnikowa dla MERY-400: Różnice pomiędzy wersjami
Przejdź do nawigacji
Przejdź do wyszukiwania
brak opisu edycji
(Utworzył nową stronę „thumb|Pamięć półprzewodnikowa Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400 * Pojemność: od ...”) |
Nie podano opisu zmian |
||
| (Nie pokazano 5 pośrednich wersji utworzonych przez tego samego użytkownika) | |||
| Linia 1: | Linia 1: | ||
[[File:Amepol pamiec polprzew.jpg|thumb|Pamięć półprzewodnikowa]] | [[File:Amepol pamiec polprzew.jpg|thumb|Pamięć półprzewodnikowa]] | ||
Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400 | Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400 instalowana jest w szufladzie jednostki centralnej minikomputera obok istniejącej pamięci operacyjnej lub na życzenie klienta w miejsce tejże pamięci lub jako moduł wolnostojący. Pamięć półprzewodnikowa może współpracować z pamięcią ferrytową lub może ją zastępować. Ze względu na ulotność informacji w półprzewodnikowych układach pamięciowych, zastosowano bateryjne podtrzymywanie zasilania zapewniające ochronę zapisanej informacji przez czas ok. 1 godziny. | ||
Dane techniczne: | Dane techniczne: | ||
* pojemność: od 64k do 512 k słów | * pojemność: od 64k do 512 k słów | ||
* długość słowa: 16 bitów + 1 bit parzystości | * długość słowa: 16 bitów + 1 bit parzystości | ||
* czas cyklu zapisu i odczytu: 900 ns | * czas cyklu zapisu i odczytu: 900 ns | ||
* czas cyklu regeneracji: 450ns co 16us | * czas cyklu regeneracji: 450ns co 16us | ||
* napięcie zasilania: | * napięcie zasilania: +5V ±10% | ||
* pobór prądu dla pojemności 120 k słów: | * pobór prądu dla pojemności 120 k słów: | ||
** 6,8A w czasie normalnej pracy | ** 6,8A w czasie normalnej pracy | ||
| Linia 30: | Linia 14: | ||
Dane konstrukcyjne: | Dane konstrukcyjne: | ||
* mikroukłady pamięciowe DRAM o pojemności 64k z 1 bit produkcji zachodniej | * mikroukłady pamięciowe DRAM o pojemności 64k z 1 bit produkcji zachodniej | ||
* konstrukcja na półpakietach typu MERA 400 o wymiarach 140 x 300 mm | * konstrukcja na półpakietach typu MERA 400 o wymiarach 140 x 300 mm | ||
| Linia 41: | Linia 24: | ||
* do pojemności 256 k słów pamięć instalowana jest obok pamięci dotychczasowej (ferrytowej), dla pojemności powyżej 256 k słów pamięć instalowana jest w miejsce pamięci dotychczasowej lub jako moduł wolnostojący | * do pojemności 256 k słów pamięć instalowana jest obok pamięci dotychczasowej (ferrytowej), dla pojemności powyżej 256 k słów pamięć instalowana jest w miejsce pamięci dotychczasowej lub jako moduł wolnostojący | ||
* moduł bateryjnego podtrzymania zasilania składa się z pojemnika z akumulatorami i pakietu ME BU-400-1 lub zasilacza AMZE 01 | * moduł bateryjnego podtrzymania zasilania składa się z pojemnika z akumulatorami i pakietu ME BU-400-1 lub zasilacza AMZE 01 | ||
<gallery mode="packed-hover" caption="Pakiety pamięci półprzewodnikowej"> | |||
File:ME-ST-400-front.jpg|Pakiet sterowania ME ST-400 | |||
File:ME-AL-400-front.jpg|Pakiet alokacji ME AL-400 | |||
File:ME-DM-400-v3-front.jpg|Pakiet nośnika danych ME DM-400 | |||
File:ME-JF-400-front.jpg|Pakiet interfejsu ME JF-400 | |||
File:ME-BU-400-v2-front.jpg|Pakiet zasilania bateryjnego ME BU-400 | |||
</gallery> | |||
{{source|title=Ulotka reklamowa|author=Amepol}} | |||