Pamięć półprzewodnikowa dla MERY-400
Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400
- Pojemność: od 64k do 512 k słów
- Długość słowa: 16 bitów + 1 bit parzystości
- Jedno źródło zasilania +5V
- Bateryjne podtrzymanie zasilania
- Czas cyklu 900 ns
- Mikroukłądy pamięciowe o dużej skali integracji
- Konstrukcja na półpakietach typu MERA 400
Pamięć instalowana jest w szufladzie jednostki centralnej minikomputera obok istniejącej pamięci operacyjnej lub na życzenie klienta w miejsce tejże pamięci lub jako moduł wolnostojący. Pamięć półprzewodnikowa może współpracować z pamięcią ferrytową lub może ją zastępować. Ze względu na ulotność informacji w półprzewodnikowych układach pamięciowych, zastosowano bateryjne podtrzymywanie zasilania zapewniające ochronę zapisanej informacji przez czas ok. 1 godziny.
Pamięć składa się z nast. pakietów:
- interfejs,
- sterowanie,
- pakiety nośnika informacji,
- pakiety alokacji.
Dane techniczne:
- pojemność: od 64k do 512 k słów
- długość słowa: 16 bitów + 1 bit parzystości
- czas cyklu zapisu i odczytu: 900 ns
- czas cyklu regeneracji: 450ns co 16us
- napięcie zasilania: *=V +-10%
- pobór prądu dla pojemności 120 k słów:
- 6,8A w czasie normalnej pracy
- 0,83A w czasie podtrzymania bateryjnego
- czas bateryjnego podtrzymania zasilania: ok. 1 godziny
Dane konstrukcyjne:
- mikroukłady pamięciowe DRAM o pojemności 64k z 1 bit produkcji zachodniej
- konstrukcja na półpakietach typu MERA 400 o wymiarach 140 x 300 mm
- łączówki ELTRA 831084013100001
- typy pakietów:
- pakiet interfejsu ME JF-400-1
- pakiet sterowania ME ST-400-2
- pakiet nośnika danych ME DM-400-1
- pakiet alokacji ME AL-400-2
- do pojemności 256 k słów pamięć instalowana jest obok pamięci dotychczasowej (ferrytowej), dla pojemności powyżej 256 k słów pamięć instalowana jest w miejsce pamięci dotychczasowej lub jako moduł wolnostojący
- moduł bateryjnego podtrzymania zasilania składa się z pojemnika z akumulatorami i pakietu ME BU-400-1 lub zasilacza AMZE 01