Pamięć półprzewodnikowa dla MERY-400: Różnice pomiędzy wersjami
Przejdź do nawigacji
Przejdź do wyszukiwania
Nie podano opisu zmian |
Nie podano opisu zmian |
||
| Linia 1: | Linia 1: | ||
[[File:Amepol pamiec polprzew.jpg|thumb|Pamięć półprzewodnikowa]] | [[File:Amepol pamiec polprzew.jpg|thumb|Pamięć półprzewodnikowa]] | ||
[[File:ME-ST-400-front.jpg|thumb|Pakiet sterowania ME ST-400]] | |||
[[File:ME-AL-400-front.jpg|thumb|Pakiet alokacji ME AL-400]] | |||
[[File:ME-DM-400-v3-front.jpg|thumb|Pakiet nośnika danych ME DM-400]] | |||
[[File:ME-JF-400-front.jpg|thumb|Pakiet interfejsu ME JF-400]] | |||
[[File:ME-BU-400-v2-front.jpg|thumb|Pakiet zasilania bateryjnego ME BU-400]] | |||
Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400 instalowana jest w szufladzie jednostki centralnej minikomputera obok istniejącej pamięci operacyjnej lub na życzenie klienta w miejsce tejże pamięci lub jako moduł wolnostojący. Pamięć półprzewodnikowa może współpracować z pamięcią ferrytową lub może ją zastępować. Ze względu na ulotność informacji w półprzewodnikowych układach pamięciowych, zastosowano bateryjne podtrzymywanie zasilania zapewniające ochronę zapisanej informacji przez czas ok. 1 godziny. | Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400 instalowana jest w szufladzie jednostki centralnej minikomputera obok istniejącej pamięci operacyjnej lub na życzenie klienta w miejsce tejże pamięci lub jako moduł wolnostojący. Pamięć półprzewodnikowa może współpracować z pamięcią ferrytową lub może ją zastępować. Ze względu na ulotność informacji w półprzewodnikowych układach pamięciowych, zastosowano bateryjne podtrzymywanie zasilania zapewniające ochronę zapisanej informacji przez czas ok. 1 godziny. | ||
Wersja z 16:15, 2 gru 2018
Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400 instalowana jest w szufladzie jednostki centralnej minikomputera obok istniejącej pamięci operacyjnej lub na życzenie klienta w miejsce tejże pamięci lub jako moduł wolnostojący. Pamięć półprzewodnikowa może współpracować z pamięcią ferrytową lub może ją zastępować. Ze względu na ulotność informacji w półprzewodnikowych układach pamięciowych, zastosowano bateryjne podtrzymywanie zasilania zapewniające ochronę zapisanej informacji przez czas ok. 1 godziny.
Dane techniczne:
- pojemność: od 64k do 512 k słów
- długość słowa: 16 bitów + 1 bit parzystości
- czas cyklu zapisu i odczytu: 900 ns
- czas cyklu regeneracji: 450ns co 16us
- napięcie zasilania: +5V ±10%
- pobór prądu dla pojemności 120 k słów:
- 6,8A w czasie normalnej pracy
- 0,83A w czasie podtrzymania bateryjnego
- czas bateryjnego podtrzymania zasilania: ok. 1 godziny
Dane konstrukcyjne:
- mikroukłady pamięciowe DRAM o pojemności 64k z 1 bit produkcji zachodniej
- konstrukcja na półpakietach typu MERA 400 o wymiarach 140 x 300 mm
- łączówki ELTRA 831084013100001
- typy pakietów:
- pakiet interfejsu ME JF-400-1
- pakiet sterowania ME ST-400-2
- pakiet nośnika danych ME DM-400-1
- pakiet alokacji ME AL-400-2
- do pojemności 256 k słów pamięć instalowana jest obok pamięci dotychczasowej (ferrytowej), dla pojemności powyżej 256 k słów pamięć instalowana jest w miejsce pamięci dotychczasowej lub jako moduł wolnostojący
- moduł bateryjnego podtrzymania zasilania składa się z pojemnika z akumulatorami i pakietu ME BU-400-1 lub zasilacza AMZE 01
Źródło: Ulotka reklamowa, Amepol