Pamięć półprzewodnikowa dla MERY-400: Różnice pomiędzy wersjami

Z MERA 400 wiki
Przejdź do nawigacji Przejdź do wyszukiwania
mNie podano opisu zmian
Nie podano opisu zmian
 
(Nie pokazano 4 pośrednich wersji utworzonych przez tego samego użytkownika)
Linia 1: Linia 1:
[[File:Amepol pamiec polprzew.jpg|thumb|Pamięć półprzewodnikowa]]
[[File:Amepol pamiec polprzew.jpg|thumb|Pamięć półprzewodnikowa]]
Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400
Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400 instalowana jest w szufladzie jednostki centralnej minikomputera obok istniejącej pamięci operacyjnej lub na życzenie klienta w miejsce tejże pamięci lub jako moduł wolnostojący. Pamięć półprzewodnikowa może współpracować z pamięcią ferrytową lub może ją zastępować. Ze względu na ulotność informacji w półprzewodnikowych układach pamięciowych, zastosowano bateryjne podtrzymywanie zasilania zapewniające ochronę zapisanej informacji przez czas ok. 1 godziny.
* Pojemność: od 64k do 512 k słów
* Długość słowa: 16 bitów + 1 bit parzystości
* Jedno źródło zasilania +5V
* Bateryjne podtrzymanie zasilania
* Czas cyklu 900 ns
* Mikroukłady pamięciowe o dużej skali integracji
* Konstrukcja na półpakietach typu MERA 400
 
Pamięć instalowana jest w szufladzie jednostki centralnej minikomputera obok istniejącej pamięci operacyjnej lub na życzenie klienta w miejsce tejże pamięci lub jako moduł wolnostojący. Pamięć półprzewodnikowa może współpracować z pamięcią ferrytową lub może ją zastępować. Ze względu na ulotność informacji w półprzewodnikowych układach pamięciowych, zastosowano bateryjne podtrzymywanie zasilania zapewniające ochronę zapisanej informacji przez czas ok. 1 godziny.
 
Pamięć składa się z nast. pakietów:
* interfejs,
* sterowanie,
* pakiety nośnika informacji,
* pakiety alokacji.


Dane techniczne:
Dane techniczne:
* pojemność: od 64k do 512 k słów
* pojemność: od 64k do 512 k słów
* długość słowa: 16 bitów + 1 bit parzystości
* długość słowa: 16 bitów + 1 bit parzystości
Linia 30: Linia 14:


Dane konstrukcyjne:
Dane konstrukcyjne:
* mikroukłady pamięciowe DRAM o pojemności 64k z 1 bit produkcji zachodniej
* mikroukłady pamięciowe DRAM o pojemności 64k z 1 bit produkcji zachodniej
* konstrukcja na półpakietach typu MERA 400 o wymiarach 140 x 300 mm
* konstrukcja na półpakietach typu MERA 400 o wymiarach 140 x 300 mm
Linia 41: Linia 24:
* do pojemności 256 k słów pamięć instalowana jest obok pamięci dotychczasowej (ferrytowej), dla pojemności powyżej 256 k słów pamięć instalowana jest w miejsce pamięci dotychczasowej lub jako moduł wolnostojący
* do pojemności 256 k słów pamięć instalowana jest obok pamięci dotychczasowej (ferrytowej), dla pojemności powyżej 256 k słów pamięć instalowana jest w miejsce pamięci dotychczasowej lub jako moduł wolnostojący
* moduł bateryjnego podtrzymania zasilania składa się z pojemnika z akumulatorami i pakietu ME BU-400-1 lub zasilacza AMZE 01
* moduł bateryjnego podtrzymania zasilania składa się z pojemnika z akumulatorami i pakietu ME BU-400-1 lub zasilacza AMZE 01
<gallery mode="packed-hover" caption="Pakiety pamięci półprzewodnikowej">
File:ME-ST-400-front.jpg|Pakiet sterowania ME ST-400
File:ME-AL-400-front.jpg|Pakiet alokacji ME AL-400
File:ME-DM-400-v3-front.jpg|Pakiet nośnika danych ME DM-400
File:ME-JF-400-front.jpg|Pakiet interfejsu ME JF-400
File:ME-BU-400-v2-front.jpg|Pakiet zasilania bateryjnego ME BU-400
</gallery>
{{source|title=Ulotka reklamowa|author=Amepol}}

Aktualna wersja na dzień 16:18, 2 gru 2018

Pamięć półprzewodnikowa

Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400 instalowana jest w szufladzie jednostki centralnej minikomputera obok istniejącej pamięci operacyjnej lub na życzenie klienta w miejsce tejże pamięci lub jako moduł wolnostojący. Pamięć półprzewodnikowa może współpracować z pamięcią ferrytową lub może ją zastępować. Ze względu na ulotność informacji w półprzewodnikowych układach pamięciowych, zastosowano bateryjne podtrzymywanie zasilania zapewniające ochronę zapisanej informacji przez czas ok. 1 godziny.

Dane techniczne:

  • pojemność: od 64k do 512 k słów
  • długość słowa: 16 bitów + 1 bit parzystości
  • czas cyklu zapisu i odczytu: 900 ns
  • czas cyklu regeneracji: 450ns co 16us
  • napięcie zasilania: +5V ±10%
  • pobór prądu dla pojemności 120 k słów:
    • 6,8A w czasie normalnej pracy
    • 0,83A w czasie podtrzymania bateryjnego
  • czas bateryjnego podtrzymania zasilania: ok. 1 godziny

Dane konstrukcyjne:

  • mikroukłady pamięciowe DRAM o pojemności 64k z 1 bit produkcji zachodniej
  • konstrukcja na półpakietach typu MERA 400 o wymiarach 140 x 300 mm
  • łączówki ELTRA 831084013100001
  • typy pakietów:
    • pakiet interfejsu ME JF-400-1
    • pakiet sterowania ME ST-400-2
    • pakiet nośnika danych ME DM-400-1
    • pakiet alokacji ME AL-400-2
  • do pojemności 256 k słów pamięć instalowana jest obok pamięci dotychczasowej (ferrytowej), dla pojemności powyżej 256 k słów pamięć instalowana jest w miejsce pamięci dotychczasowej lub jako moduł wolnostojący
  • moduł bateryjnego podtrzymania zasilania składa się z pojemnika z akumulatorami i pakietu ME BU-400-1 lub zasilacza AMZE 01
  • Pakiety pamięci półprzewodnikowej
  • Pakiet sterowania ME ST-400

    Pakiet sterowania ME ST-400

  • Pakiet alokacji ME AL-400

    Pakiet alokacji ME AL-400

  • Pakiet nośnika danych ME DM-400

    Pakiet nośnika danych ME DM-400

  • Pakiet interfejsu ME JF-400

    Pakiet interfejsu ME JF-400

  • Pakiet zasilania bateryjnego ME BU-400

    Pakiet zasilania bateryjnego ME BU-400

Źródło: Ulotka reklamowa, Amepol

Źródło: „http://mera400.pl/index.php?title=Pamięć_półprzewodnikowa_dla_MERY-400&oldid=2921”