3012
edycji
Pamięć półprzewodnikowa dla MERY-400: Różnice pomiędzy wersjami
Przejdź do nawigacji
Przejdź do wyszukiwania
m
brak opisu edycji
(Utworzył nową stronę „thumb|Pamięć półprzewodnikowa Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400 * Pojemność: od ...”) |
mNie podano opisu zmian |
||
| Linia 6: | Linia 6: | ||
* Bateryjne podtrzymanie zasilania | * Bateryjne podtrzymanie zasilania | ||
* Czas cyklu 900 ns | * Czas cyklu 900 ns | ||
* | * Mikroukłady pamięciowe o dużej skali integracji | ||
* Konstrukcja na półpakietach typu MERA 400 | * Konstrukcja na półpakietach typu MERA 400 | ||
| Linia 23: | Linia 23: | ||
* czas cyklu zapisu i odczytu: 900 ns | * czas cyklu zapisu i odczytu: 900 ns | ||
* czas cyklu regeneracji: 450ns co 16us | * czas cyklu regeneracji: 450ns co 16us | ||
* napięcie zasilania: | * napięcie zasilania: +5V ±10% | ||
* pobór prądu dla pojemności 120 k słów: | * pobór prądu dla pojemności 120 k słów: | ||
** 6,8A w czasie normalnej pracy | ** 6,8A w czasie normalnej pracy | ||