Pamięć półprzewodnikowa dla MERY-400

Z MERA 400 wiki
Skocz do: nawigacja, szukaj
Pamięć półprzewodnikowa

Półprzewodnikowa pamięć operacyjna M-400-PPO-1 do minikomputera MERA-400 instalowana jest w szufladzie jednostki centralnej minikomputera obok istniejącej pamięci operacyjnej lub na życzenie klienta w miejsce tejże pamięci lub jako moduł wolnostojący. Pamięć półprzewodnikowa może współpracować z pamięcią ferrytową lub może ją zastępować. Ze względu na ulotność informacji w półprzewodnikowych układach pamięciowych, zastosowano bateryjne podtrzymywanie zasilania zapewniające ochronę zapisanej informacji przez czas ok. 1 godziny.

Dane techniczne:

  • pojemność: od 64k do 512 k słów
  • długość słowa: 16 bitów + 1 bit parzystości
  • czas cyklu zapisu i odczytu: 900 ns
  • czas cyklu regeneracji: 450ns co 16us
  • napięcie zasilania: +5V ±10%
  • pobór prądu dla pojemności 120 k słów:
    • 6,8A w czasie normalnej pracy
    • 0,83A w czasie podtrzymania bateryjnego
  • czas bateryjnego podtrzymania zasilania: ok. 1 godziny

Dane konstrukcyjne:

  • mikroukłady pamięciowe DRAM o pojemności 64k z 1 bit produkcji zachodniej
  • konstrukcja na półpakietach typu MERA 400 o wymiarach 140 x 300 mm
  • łączówki ELTRA 831084013100001
  • typy pakietów:
    • pakiet interfejsu ME JF-400-1
    • pakiet sterowania ME ST-400-2
    • pakiet nośnika danych ME DM-400-1
    • pakiet alokacji ME AL-400-2
  • do pojemności 256 k słów pamięć instalowana jest obok pamięci dotychczasowej (ferrytowej), dla pojemności powyżej 256 k słów pamięć instalowana jest w miejsce pamięci dotychczasowej lub jako moduł wolnostojący
  • moduł bateryjnego podtrzymania zasilania składa się z pojemnika z akumulatorami i pakietu ME BU-400-1 lub zasilacza AMZE 01

Źródło: Ulotka reklamowa, Amepol